总结
- blog.byteway.net 10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。 将被命名为BV（BondingVertical）NAND，这是因为这代产品将调整NAND结构，从目前的CoP外围上单元改为分别制造存储单元和外围电路后垂直键合，整体思路与长江存储 Xtacking、铠Ligthing News侠-西部数据CBA相似。 韩媒表示，这一改动可防止 NAND 堆叠过程中对外围电路结构的破坏，还能实现较 CoP 方案高出 60% 的位密度；2027 年的 V11 NAND 层数进一步增长，I/O 速率可提升 50%；未来有望实现千层堆叠。 报道认为三星电子将在 0a nm 节点引入 VCT（IT之家注：垂直通道晶体管）技术，构建三维结构的 DRAM 内存，进一步提升容量的同时减少临近单元干扰。 此前消息指，三星将于明年完成 4F2VCT DRAM 原型开发。
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分类
- CoP 方案高出, 韩国经济日报, 60%, 明年, 昨日
评价和解读
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正文
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10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。
本文引用地址：
三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 纳米级）DRAM。
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V-NAND
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将被命名为BV（BondingVertical）NAND，这是因为这代产品将调整NAND结构，从目前的CoP外围上单元改为分别制造存储单元和外围电路后垂直键合，整体思路与长江存储 Xtacking、铠Ligthing News侠-西部数据CBA相似。
韩媒表示，这一改动可防止 NAND 堆叠过程中对外围电路结构的破坏，还能实现较 CoP 方案高出 60% 的位密度；2027 年的 V11 NAND 层数进一步增长，I/O 速率可提升 50%；未来有望实现千层堆叠。
而在 DRAM 内存领域，韩媒表示三星电子将于 2025 年上半年推出 1c nm DRAM，2026 年推出 1d nm DRAM，而到 2027 年则将推出第一代 10nm 以下级 0a nm DRAM 内存，整体同三星存储器业务负责人李祯培此前展示的内容相近。
报道认为三星电子将在 0a nm 节点引入 VCT（IT之家注：垂直通道晶体管）技术，构建三维结构的 DRAM 内存，进一步提升容量的同时减少临近单元干扰。此前消息指，三星将于明年完成 4F2VCT DRAM 原型开发。
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